【导读】AI算力需求出现爆炸式增加，海量数据频仍调动使患上存储行业变患上愈发主要。天生式AI、AI智能体、端侧AI运用，高机能、高密度、高能效的存储解决方案都组成了不成或者缺的硬件基础。这些技能正助力解决数据中央、AI练习推理以和挪动装备于数据存储与拜候方面的瓶颈问题。于浩繁存储技能成长路径中，铠侠BiCS FLASH 3D闪存技能为整个行业提供了坚实支撑，成为高机能存储范畴的要害脚色。

从2D到3D：闪存技能的革命性超过

作为闪存技能的发现者，铠侠始终承袭Bit Cost Scalable Flash理念。当2D NAND技能遭受容量晋升瓶颈后，BiCS FLASH创造性地转向垂直标的目的重叠存储单位。这项技能经由过程巧妙的瓜代重叠板状电极及绝缘体，一次性垂直打孔穿透存储层，并于孔内填充电荷贮存膜及柱状电极，从而构建起当前主流的3D NAND架构。更主要的是，BiCS FLASH的技能迭代从未住手，连续鞭策着存储技能的界限。

机能与密度兼患上：第八代BiCS FLASH的技能冲破

已经成为行业主流的第八代BiCS FLASH现已经广泛运用在各种存储产物中，从挪动装备及车载体系的UFS系列，到消费级SSD，再到企业级及数据中央级存储方案，都能看到它的身影。

第八代BiCS FLASH于存储密度及机能方面均有显著晋升，此中2Tb QLC NAND是今朝业界最年夜容量的存储器。为实现这一冲破，铠侠经由过程专有工艺及立异架构，均衡了存储芯片的纵向及横向缩放，开发的CBA架谈判3.6Gbps接口速率，为AI运用、数据中央及挪动装备斥地了更多可能性。

CBA架构与传统单晶圆制造CMOS逻辑电路与存储单位的方式大相径庭，它采用两片别离制造后再翻转贴合的方式，使差别工艺都能阐扬更年夜上风，同时缩短出产时间。患上益在存储单位及CMOS逻辑电路都有了更富余的设计空间，第八代BiCS FLASH实现了存储密度与机能的两重晋升：写入机能提高20%，读取速率提高10%，耗电量削减30%（写入时），接口速率到达3.6 Gbps，体现优在同级别产物。

第八代BiCS FLASH QLC创造了业界最年夜的2Tb规格，当单个封装内重叠32个Die时，可实现领先的8TB容量。多个存储芯片组合，更能构建出256TB的企业级SSD，剔除了OP空间后存储容量仍达245.76TB。铠侠LC9 245.76TB企业级SSD就是典型代表，今朝已经与部门数据中央睁开互助，加快AI数据中央高效能部署，同时降低整体拥有成本。

双轨并行战略：为AI将来加码

于第八代BiCS FLASH成为行业国家栋梁的同时，第九代及第十代BiCS FLASH也已经蓄势待发，形成双轨并行的成长计谋。

第九代BiCS FLASH专注在使用CBA技能，于现有存储单位技能基础上推出更具成本上风的产物。经由过程集成最新的CBA技能及Toggle DDR 6.0接口，第九代BiCS FLASH实现了显著的机能与能效晋升，可以或许为主流企业级SSD、边沿计较及AI运用提供平衡的解决方案。

第十代BiCS FLASH则进一步将存储阵列重叠层数年夜幅晋升至332层，一样采用Toggle DDR6.0接口及SCA自力号令地址和谈，将NAND接口速率晋升至4.8Gbps，以满意将来AI练习、科学计较等超年夜范围数据中央对于存储带宽及容量的极致需求，同时有助在降低超年夜容量SSD的制造繁杂度及成本。

除了了主流的BiCS FLASH技能，铠侠还有于摸索XL-FLASH存储级内存及OCTRAM等新型存储技能，为将来计较架构做好充实预备。

末了，面临AI时代的数据大水，存储技能的立异程序正于加速。铠侠经由过程连续的技能迭代，不停寻求更高的存储密度，与各行业客户合作无懈，进一步降低TCO，晋升能效体现，为迈向更高存储密度的方针奠基坚实基础。跟着BiCS FLASH技能的连续进化，云端与端侧运用将得到更优质的存储解决方案，为周全智能化时代提供强有力的数据支撑。