“芯”品发布｜镓将来推出“9mΩ”车规级 GaN FET ，打破功率氮化镓能效天花板！

发布时间：2025-11-28 来历：投稿 责任编纂：lina

于寻求高效能、高靠得住性功率半导体技能的门路上迈出要害一步，打破车规级功率半导体机能界限

近日，镓将来正式公布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 车规级氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。这款彻底切合汽车 AEC-Q101 尺度的 650V 氮化镓分立器件，以全世界最小的 9mΩ 导通电阻（Rds(on)），引起行业内广泛存眷，迅速成为氮化镓功率半导体于新能源汽车范畴机能优化的新标杆。

产物亮点凭甚么成为业界同规格产物标杆？

镓将来 G2E65R009 系列产物封装形状：TO-247PLUS-4L 及 ITO-247PLUS-3L（内绝缘）

车规级器件程度：切合汽车运用的 AEC-Q101 尺度，满意进入汽车供给链的焦点认证；

Si MOSFET 驱动兼容：无需修改现有驱动电路，直接替代传统硅基器件，缩短产物运用开发周期；

9mΩ 超低导通电阻（Rds(on))：超 1500A 饱及电流（25℃）能力，降低开关及导通损耗跨越 60%；

全拓扑高效运行：极低的 Qoss 可以包管不管是硬开关的 DC-DC 转换器，还有是软开关的 LLC 谐振电路，均能连结极高的转换效率；

优化死区治理：关断状况下提供最低反向导通电压，以降低死区时间损耗；

热机能体现优秀：为电源工程师后续运用设计提供更多产物优化选项。

超 1500A 饱及电流能力

9mΩ 是甚么观点？氮化镓功率半导体的“能效天花板”被打破！

当行业还有于为 15mΩ 的导通电阻参数竞争时，镓将来 G2E65R009 系列产物直接将这一数值缩小至 9mΩ——这象征着甚么？

导通损耗降低 60%：比拟传统硅基 IGBT，其开关损耗及导通损耗均降低 60% 以上，相称在每一台新能源汽车机电节制器可削减约 150W 的无效功耗，对于应续航里程晋升 3%~5%；

热治理革命：仅为9mΩ的超低导通电阻共同TO-247PLUS-4L及ITO-247PLUS-3L 封装的优秀散热设计，热阻低至 0.2℃/W相较传统SiC MOSFET 降低约40%；

效率跃升：颠末镓将来试验室实测，于 P-out 为 5.3kW 时，峰值效率可达 99.35%；

功率翻倍：单颗分立器件撑持高达 20kW 的功率输出 ，稳居行业顶尖程度。可以满意更多年夜功率运用场景需求，实现高功率密度及高设计自由度的完善联合！

Vin=240V, Vout=400V, fsw=50kHz

行业新契机

对于在行业工程师方案设计，带来哪些便当？

对于在相干行业成长，带来哪些喜信？

镓将来 G2E65R009 最感动行业的，也许是其“革命性机能+兼容性设计”的两重上风。镓将来产物的自身技能特色，可以实现与传统硅基器件 Pin to Pin 兼容，汽车级靠得住性与无缝替代的能力已经然成为工程师运用解决方案的不贰之选，加上在此款产物低至 9mΩ 的导通电阻，将为新能源汽车、工业机电、储能体系、光伏逆变等多范畴带来更多技能冲破的可能。

将眼光转向终端市场，客户的焦点采购驱动力早已经聚焦在“更极致的效率、更优秀的体验及更具效益的总成本”——即经由过程更集成的设计、更靠得住的品质与更优的总体能效，为其终端产物构建市场竞争力，成立市场信托。于此配景下，具有冲破性机能的焦点器件，正成为鞭策产物迭代与财产进阶的要害支点。

作为电子财产链的上游焦点气力，镓将来始终专注 GaN 半导体立异，致力在为业界提供靠得住、高效、智能的解决方案。于开发 G2E65R009 产物历程中，咱们慎密缭绕客户的焦点诉求，精准掌握技能成长的主流趋向，力图与互助伙伴共建双赢的财产生态。今朝，该产物已经与多家头部车企和焦点 Tier1 供给商联袂，进入本色性的研发验证阶段，配合推进技能落地与运用进级。

咱们有决定信念，该产物于后续运用中，将为互助伙伴于便捷性、靠得住性、高效性等方面带来更多踊跃体验与广漠的摸索空间。

“镓将来 G2E65R009 系列”

当行业还有于会商氮化镓的“商用临界点”时，G2E65R009 已经经用“车规靠得住性+极致机能+兼容性设计”的组合拳给出谜底。一名资深电源工程师评价：“这就像给燃油车直接换装了电念头——不是小修小补，而是完全的代际超过。”

对于在终端企业而言，选择 G2E65R009 不仅是机能进级，更是技能线路的战略结构——于“双碳”方针与能源革命的年夜配景下，这款器件将鞭策能源转换及使用效率的周全晋升。

此刻，这场功率半导体的效率革命已经经开启。预备好及镓将来一路让你的产物机能“跨代进级”了吗？